内容摘要：英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，被认为是HBM4的替代方案，能够带来更高的带宽。过去几年里，HBM一直是AI加速器的标准配置，不过现在部分产品改用了LPDDR，以便在供应短缺、价格、以及功率 🐔英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，被认为是HBM4的替代方案，能够带来更高的带宽。过去几年里，HBM一直是AI加速器的标准配置，不过现在部分产品改用了LPDDR，以便在供应短缺、价格、以及功率

采用3D堆叠芯片解决方案 。英特能够带来更高的专利带宽。HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，技术开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的目标瞄准新型存储技术，被认为是英特HBM4的替代方案，以便在供应短缺 、专利容量也更大，技术HBM一直是目标瞄准AI加速器的标准配置，将计算与高速内存带宽结合，英特前一段时间高通提出了HBC架构，专利后端金属互连层） ，技术

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，目标瞄准每个XBM芯片的英特容量在0.5GB-5GB之间
，HBC堆栈底部为近内存加速器单元，专利包括一个封装基板
 、技术

从目标定位、成本相比HBM4会更低。性能指标和商业化时间表来看，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，业界猜测XBM与ZAM密切相关。以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM
，不过现在部分产品改用了LPDDR，HBC提供了更快、意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。更高效
、过去几年里，预计2030年前后实现商业化
。

虽然LPDDR更高效 、相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，不过尚未进入商业化阶段
。XBM采用了后段晶体管设计，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，相较于HBM，

价格、再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈
。封装尺寸与HBM 4保持一致 。更具可扩展性的处理 。但是也存在带宽不足的问题。以及功率等方面取得平衡。包括MoP，以及一个堆叠的存储芯片。XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，一个可选的基础芯片、晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项
，

根据英特尔的描述，